multiemitter
英 /ˌmʌltiˈɪmɪtə/美 /ˌmʌltiˈɪmɪtər/
n. 名词
多发射极器件;多发射极晶体管
含义详解
该词为复合词,由前缀 multi-(多)和名词 emitter(发射极)构成,核心含义指具有多个发射极的半导体器件,常见于晶体管或传感器中。本义是工程领域对器件结构的描述,引申可指代采用此类结构的集成电路或功能模块,用于实现信号叠加、逻辑运算或多路输入处理。在电子工程文献中,它常指一种特定类型的双极型晶体管(BJT)或多发射极逻辑门,如集成注入逻辑(I²L)中的关键组件。
词根溯源
前缀 multi- 源自拉丁语 multus,意为“许多”,常用于构成新词表示“多重的”。emitter 源自拉丁语 emittere(发出),由 ex-(向外)和 mittere(送)组合,指发射电子的电极。组合后 multiemitter 直指“多发射极”,构词逻辑直观。记忆时可拆解为 multi + emitter,联想“多个发射源”即可。
常见语境
该词主要出现在电子工程、半导体物理的学术论文、技术手册和专利文件中,属于专业术语,口语中极少使用。在学术写作中,它用于精确描述器件结构;在技术规范中,它界定产品特性。日常英语中几乎不出现,若出现可能为比喻用法,但极罕见。语域为正式技术语体,无情感色彩。
语法要点
作为可数名词,复数形式为 multiemitters。常用于单数形式,修饰其他名词时可作定语,如 multiemitter structure。无动词用法。在句子中常作主语或宾语,例如:“The multiemitter improves the switching speed.” 易错点:注意与 multi-emitter 连字符形式混用,但两者均正确,拼写需统一。
同义词区别
与 multi-emitter transistor 同义,但 multiemitter 更紧凑。多发射极结构不同于多集电极(multicollector),后者强调集电极数量。与单发射极(single-emitter)器件相比,多发射极可实现更复杂的功能,如逻辑门中的多输入。在具体语境中,若强调功能而非结构,可用 multi-input device 替代,但多发射极特指物理结构。
常见误区
该词为高度专业术语,仅适用于半导体领域。语域为正式书面语,无褒贬色彩。常见误用包括将 multiemitter 误作“多发射器”(指无线电发射机),实际应指晶体管发射极。在非专业场合使用会造成理解障碍,建议仅在技术文档中使用。
高频搭配
| multiemitter transistor | 多发射极晶体管 |
| multiemitter structure | 多发射极结构 |
| multiemitter device | 多发射极器件 |
| multiemitter BJT | 多发射极双极型晶体管 |
| multiemitter logic | 多发射极逻辑 |
| multiemitter configuration | 多发射极配置 |
| multiemitter layout | 多发射极布局 |
句子示例
| The multiemitter transistor is widely used in integrated injection logic circuits. | 多发射极晶体管广泛用于集成注入逻辑电路中。 |
| A multiemitter structure allows multiple input signals to be combined in a single device. | 多发射极结构允许在单个器件中组合多个输入信号。 |
| The design employs a multiemitter BJT to reduce the component count. | 该设计采用多发射极双极型晶体管以减少元件数量。 |
| Researchers fabricated a novel multiemitter device with enhanced current gain. | 研究人员制造了一种具有增强电流增益的新型多发射极器件。 |
| Compared with a single-emitter version, the multiemitter offers greater design flexibility. | 与单发射极版本相比,多发射极提供了更大的设计灵活性。 |